半导体行业的数字游戏——7nm VS 10nm - 哔哩 ... - 哔哩哔哩
然而在实际生产中，CPP将随单扩散（Single Diffusion Break,SDB）/双扩散（Double Diffusion Break,DDB）一起决定逻辑电路单元的宽度，如下图所示。 DDB与SDB对比. 仔细观察发现， …
细看三星4nm：今年为数不多的真·4nm - 电子工程专辑 EE ...
2022年9月22日 · 不过值得一提的是，在7nm工艺前后，三星引入了一种MDB（mixed diffusion break）。对应的技术似乎是三星的独家方案，据说能够更为精确地进行diffusion break相关时 …
次时代半导体工艺预览：Samsung篇 - 知乎 - 知乎专栏
大概是因为三星在7nm上用了 DDB （然而三星的14nm就用了 SDB ），所以7nm密度不行，而5nm的密度之所以上来很大因素也是因为恢复使用了SDB。 我记得在10/7 节点上，只有Intel …
再次讲讲线宽的那些事：晶体管是怎么做得越来越小的？ - 与非网
2023年11月18日 · 原本每个晶体管各自有一个隔离带，叫DDB(Double Diffusion Breaks)，现在为了节约空间，只用一个隔离带了，叫SDB(Single Diffusion Breaks)就好比你家院子和邻居院子 …
“蓝色巨人”英特尔到底被台积电三星甩了几条街？（聊聊常见的制 …
还有就是不同管子拼接时，有源区的切断技术不一样，如DDB(Double-Diffision Break)和SDB(single-Diffusion Break)会导致CPP以及单元宽度的差异，图中可以看出使用了SDB切断的 …
Simulation Study on Different Integration Schemes to Form Single ...
Abstract: Single diffusion break (SDB), which provides electrical insulation between two finFET devices, is one of the critical steps in finFET semiconductor fabrication. With device dimension …
The SA-SDB removes a risk of the epi volume reduction thanks to alignment to dummy poly, but S/D epi-induced stress is lost during the STI formation similar to the DDB case.
What is Smart Diffusion Break (SDB), Mixed Diffusion Break (MDB), …
2024年4月19日 · Smart Diffusion Break (SDB) is a technique utilized in semiconductor fabrication to enhance the performance and efficiency of FinFET transistors. In the context of Samsung’s …
详谈三星5nm工艺，Exynos 1080芯片，和Cortex-A78-电子工程专辑
2020年11月13日 · 5LPE最大的提升是新的6T UHD单元库，主要特性包括SDB（single diffusion break）、36nm的M2间距，CB on RX edge等（RX是指单元的活跃区域，CB属于额外的本地 …
在不同类型的扩散区域中采用双扩散断裂 (DDB)和单扩散断裂 (SDB…
在本文中公开的示例性方面中，在N型扩散区域中形成DDB或SDB，并且在P型扩散区域中形成相反类型扩散 (SDB或DDB)。 可以采用在电路的不同扩散区域中的DDB与SDB之间形成不同扩 …