目前，量产的SiC有四种：CVD SiC，单晶SiC（单晶薄膜SiC也是用CVD生长的）， 反应键合SiC （reaction-bonded，含有10-40%的Si相），以及 热压SiC。 这四类SiC的热导率相差较 …

SiC同质外延生长技术有化学气相沉积技术(CVD)、液相外延技术(LPE)和分子束外延（MBE)等，CVD是目前生长SiC外延层最常用的生长设备。从历史来看, SiC CVD外延设备 主要有几种 …

2023年2月15日 · SiC 薄膜生长方法有化学气相沉积 (chemical vapor deposition, CVD) 、 分子束外延 、 磁控溅射和脉冲激光淀积等, 其中 CVD 法具有 可以精确控制外延膜厚度和掺杂浓度 、 …

碳化硅 (sic) 的化学气相沉积 (cvd) 工艺涉及将气态反应物沉积到基材上以形成碳化硅薄膜。 该工艺由于能够生产高纯度、高性能材料而广泛应用于半导体行业。

在这项研究中，通过采用粉碎的cvd-sic块，成功地证明了pvt方法在高温梯度条件下快速生长sic晶体。 有趣的是，通过替换SiC源，PVT方法实现了SiC晶体的快速生长。

2024年1月1日 · In this study, the CVD SiC process on graphite substrate was efficiently controlled by molecular dynamics (MD)-finite volume (FVM) cross-scale simulations. The key deposition …

2019年12月1日 · In this paper, the deposition mechanism and microstructure characteristics of SiC during atmospheric pressure CVD are studied. The composition and morphology of SiC …

以自行研发的cvd法生产，实现了超高纯度，高耐热性，高耐磨性的碳化硅产品. 碳化硅产品是硅（si）和碳（c）1比1结合而成的一种化合物，具有较高的抗磨损性、耐热性和耐腐蚀性。

集成电路刻蚀工艺用CVD SiC厚层材料的目标特征：1）高纯度，达到99.9999%（6N）的多晶陶瓷材料polycrystalline；2）高致密度，没有孔隙；3）高热导率（理论上可达~490 W/m·K，实际 …

2024年11月26日 · A recent study reported the rapid growth of SiC single crystals of ~1.5 mm/h using high-purity SiC sources obtained by recycling CVD-SiC blocks used as materials in …