常用SOT23封装小功率MOSFET场效应管参数表 - CSDN博客
2024年5月17日 · sot-23封装的元器件，因其pcb占地小，分立易布置，功能独立，选型范围广，价格便宜等各种优点，深受硬件工程师的青睐。
Package style descriptive code SOT (small outline transistor) Package body material type P JEDEC package outline code TO-236AB Handling precautions IC26_CHAPTER_3_2000 …
重复额定值:脉冲宽度受最大结温度限制。 安装在FR4 板上,t ≤10秒。 脉冲测试: 脉冲宽度≤ 300μs ,占空比≤ 2%。 图2 传输特性曲线. 图8 安全工作区曲线.
Small-outline transistor - Wikipedia
A small outline transistor (SOT) is a family of small footprint, discrete surface mount transistor commonly used in consumer electronics. The most common SOT are SOT23 variations,. [1] …
SI2300 SOT-23参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微
2021年7月9日 · sot-23 增强型MOS(EMOS)场效应管 根据图，N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P 型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散 …
SOT-23、SOT-223封装的三极管、MOS管 - CSDN博客
2020年1月7日 · sot-23封装的元器件，因其pcb占地小，分立易布置，功能独立，选型范围广，价格便宜等各种优点，深受硬件工程师的青睐。
SOT-23! "!!! " " " PIN2 D PIN1 G PIN3 S N-Channel MOSFET 5N10 ELECTRONICS CO.,LTD N-Channel Enhancement Mode MOSFET ... (th) Typical Characteristics Fig.1 Typical Output …
SOT-23-3L S G S D SOT-23-3L(Top View) ... (th) V DS = V GS, I D =-250μA -1 -1.4 -3 V Drain-source on-state resistance1 R DS(on) V GS =-10V,I D =-4.1A - 50 60 mΩ V GS =-4.5V,I D = …
SE431(SOT-23-3L) - 电子工程世界
LTC1982 的典型应用 - SOT-23 中的单通道和双通道微功率高侧开关控制器; LTM4607 的典型应用 - 36Vin、24Vout 高效降压-升压型 DC/DC 模块 使用 Analog Devices 的 LT1086CT-2.85 的参 …
场效应管(MOSFET) NP4N10MR-N-G SOT-23中文介绍，南 …
NP4N10MR-N-G 是一款由南麟(Natlinear) 生产的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 SOT-23 封装。 它是一款高性能的功率器件，在各种电子应用中提供可靠的性能。 本文将对 NP4N10MR-N-G …