SPTS's Osprey ® PECVD systems are used in advanced packaging in applications including deposition of via-last dielectric liners, SiCN deposition for hybrid bonding, thick SiO for inter-die gapfill, via-reveal passivation, and low temperature backside films with bow compensation

SPTS的Delta-PECVD系统广泛应用于MEMS、化合物半导体和先进封装领域，特别是在需要低工艺温度的应用中。 主要优势： 晶圆尺寸从75mm到300mm; 径向对称气流，实现了卓越的片内（WIW）均匀性; 多达10条气体管路和可选的主板控制液体输送系统

For advanced packaging applications, the SPTS Osprey ® PECVD system offers low temperature deposition processes compatible with 300mm bonded substrates and mold. Osprey ® PECVD produces high quality, production qualified dielectric films at deposition temperatures as low as 110°C SiN – SiO stacks can be deposited in the same PECVD chamber ...

等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术是借助于 辉光放电 等离子体 使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。 由于 PECVD技术 是通过应气体放电来制备薄膜的，有效地利用了 非平衡等离子体 的反应特征，从根本上改变了反应体系的能量供给方式。 一般说来,采用 PECVD 技术制备 薄膜 材料时，薄膜的生长主要包含以下三个基本过程： 首先，在非平衡等离子体中，电子与反应气体发生初级反应，使得反应气体发生分解，形成离 …

SPTS Non-Confidential | Unrestricted Dielectric Process Options For AP PECVD preferred for critical applications Feature

等离子体增强化学气相沉积 (pecvd) 是一种利用等离子体内的能量来加速晶圆表面化学反应从而在低于 400°c 的温度下生产薄膜的工艺。 沉积过程中出现的高能离子轰击可用于调整薄膜的电气和机械性能。

等离子体增强化学气相沉积（pecvd）是一种利用等离子体中的能量在晶圆表面引发反应的过程，而这些反应在传统的cvd中需要更高的温度。 沉积过程中的高能离子轰击也能改善薄膜的电学和机械性能。

2012年9月19日 · Already proven in 300mm volume production fabs, the Delta f xP ® PECVD system deposits dielectric layers onto bonded substrates at wafer temperatures below 200 degrees C, with throughputs up to...

Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) is a process which uses the energy within the plasma to accelerate chemical reactions at the wafer surface to produce thin films at temperatures below 400°C. Energetic ion bombardment during deposition can be used to tailor the films’ electrical and mechanical properties.

品牌：SPTS Delta Systems提供了100mm到300mm的CVD系统 1. 广泛应用于MEMS、先进封装、功率半导体、LED制造、RF集成电路等领域 2. 放射方式对称工艺气体显著提高晶圆片内均匀性（WIW） 3. 多达10路气体管路，可选on-board液体输送系统 4. 复合频率等离子体能力调节应力 5.