STI、LOD与WPE概念：减少或避免WPE/STI效应对IP模块设计的影 …
STI是Shallow Trench Isolation的缩写，STI压力效应就是浅槽隔离压力效应。 为了完成有源器件的隔离，在它周围必须形成绝缘侧壁，在较为先进的CMOS工艺制成中，通常用STI的方法来做 …
CMOS工艺-STI（浅沟槽隔离） - CSDN博客
2024年10月2日 · 随着 cmos工艺按比例缩小到90 nm以下,浅沟槽隔离( sti)引起的机械应力对 mosfet器件性能的影响 越来越严重。通过实验和 tcad仿真研究了 sti应力对一种 sonos结构 …
STI、LOD与WPE概念2：减少或避免WPE/STI效应对IP模块设计的 …
2020年1月19日 · 本文诠释了制造工艺的两个重要效应：STI、WPE。 通过对两种效应的分析，提出了在芯片设计阶段考虑它们的必要性。 特别是针对IP模块级别的设计，本文给出了在电路 …
STI、LOD与WPE概念：形成机理及对电路设计的影响
2024年8月5日 · STI是Shallow Trench Isolation的缩写，STI压力效应就是浅槽隔离压力效应。 为了完成有源器件的隔离，在它周围必须形成绝缘侧壁，在较为先进的CMOS工艺制成中，通常 …
逻辑芯片工艺之浅槽隔离（STI）简介 - 硬件电路 - 路丝栈 - 路丝栈 …
2024年3月18日 · STI，英文全称shallow trench isolation，中文名称浅槽隔离，在MOS管之间起隔离作用。STI工艺通过利用nitride掩膜经过CVD，litho，etch形成trench，在trench中填 …
芯片边界效应STI、LOD与WPE - free_zhang - 博客园
2021年5月24日 · STI是Shallow Trench Isolation的缩写，STI压力效应就是浅槽隔离压力效应。 为了完成有源器件的隔离，在它周围必须形成绝缘侧壁，在较为先进的CMOS工艺制成中，通常 …
STI、LOD与WPE概念：形成机理及对电路设计的影响
OSE: OD Space Effect, 扩散区/有源区间距效应 从0.20米以下的半导体制程，利用STI的方法来实现gate的隔离，STI到不同gate的距离不同从而对器件的性能产生的影响就叫OSE。
STI、LOD与WPE概念：形成机理及对电路设计的影响（转）
2020年1月19日 · STI是Shallow Trench Isolation的缩写，STI压力效应就是浅槽隔离压力效应。 为了完成有源器件的隔离，在它周围必须形成绝缘侧壁，在较为先进的CMOS工艺制成中，通常 …
【半导体先进工艺制程技术系列】STI应力效应（LOD效应）-物联 …
2023年5月18日 · 【半导体先进工艺制程技术系列】STI应力效应（LOD效应），内容包括LOD效应基本定义，电流镜电路基本原理，伪器件电路的用途，即以电流镜和添加伪器件电流镜电路的 …
LOD效应和STI效应有什么区别 - Layout讨论区 - EETOP 创芯网论 …
2014年4月8日 · LOD ( Length of Diffusion): 從025um以下的製程，元件之間是利用較先進的STI (Shallow Trench Isolation)的方法來做隔絕。 STI的作法，會在substrate上挖出一個溝槽，再填 …