【半导体先进工艺制程技术系列】应变硅工艺技术_应变硅技术-CSD…
2022年5月9日 · 源漏区嵌入SiGe应变材料可以提高PMOS的速度。 它是通过外延生长技术在源漏嵌入SiGe材料，从而对沟道产生单轴压应力，改变硅价带的能带结构，降低空穴的电导有效 …
集成电路制造工艺——应变硅技术 - 知乎 - 知乎专栏
源漏嵌入SiGe应变技术被广泛用于提高90nm及以下工艺制程PMOS的速度。 它是通过外延生长技术在源漏嵌入SiGe应变材料，利用锗和硅晶格常数不同，从而对衬底硅产生应力，改变硅价 …
应变硅技术（2） - 知乎 - 知乎专栏
SiGe广泛应用于90nm及以下的应力工程，利用锗硅晶格常数的不同产生的压应力，嵌入源漏区，提高了PMOS空穴的迁移率和饱和电流。 硅的晶格常数是5.43095A，锗的晶格常 …
Abstract—Biaxial tensile strained Si grown on SiGe virtual substrates will be incorporated into future generations of CMOS technology due to the lack of performance increase with scaling. …
These results suggest that the <100> strained-SiGe-channel p-MOSFET can be used to achieve high-speed CMOS devices that operate at low voltages. 1. Introduction. High-speed devices …
SiGe/Si material for PMOS application - Purdue University
SiGe has shown promise as a new channel material for PMOS type of devices. Ge offers highest hole mobility (1900 cm2/V-s) among all group IV or III-V class of materials. However Ge has …
PMOS Leakage Reduction Through Sige Morphology & IMP …
Abstract: In the pursuit of reducing the leakage of PMOS, this research investigates methods to enhance the performance of PMOS devices through an analysis of halo dose and SiGe …
应变硅技术(1) - 知乎 - 知乎专栏
目前常见的应变硅工艺包括 应力记忆技术 （SMT） 、 接触孔刻蚀停止层 （CESL） 、 嵌入式SiGe 、 嵌入式SiC，他们对 NMOS 和 PMOS 的不同作用分别表示如下。 SMT工艺. …
一种嵌入式SiGe结构及其制备方法与流程 - X技术网
2020年7月10日 · 随着超大规模集成电路技术的迅速发展，器件尺寸的不断缩小，为了提高pmos的性能，锗硅(sige)作为pmos源漏区的应力源，被引进到cmos的制造工艺中，其通过向沟道处 …
PMOS SiGe epitaxial growth process improvement to increase …
In this paper, we present the development of a new 14nm SiGe process that is designed to improve with-in-wafer uniformity to eventually improve Electrical parameters, parametric …