应变硅技术 是指通过应变材料产生应力，并把应力引向器件的沟道，改变沟道中硅材料的导带或者价带的能带结构，可以通过合理的器件设计来获得合适的应力方向从而减小能带谷内、谷间散射概率以及载流子（电子和空穴）沟道方向上的有效质量，达到增强载流子迁移率和提高器件速度的目的，通过应用应变硅技术制造集成电路的工艺称为应变硅工艺制程技术。 目前业界通用的应变硅工艺制程技术包括四种： 第四种是 接触刻蚀阻挡层应变技术。 当然还有很多种应力提升技术。 …

SiGe广泛应用于90nm及以下的应力工程，利用锗硅晶格常数的不同产生的压应力，嵌入源漏区，提高了PMOS空穴的迁移率和饱和电流。 硅的晶格常数是5.43095A，锗的晶格常数5.6533A ，硅与锗的不匹配率4.1%，锗硅的晶格常数大于纯硅，在源漏区产生压应力。 在进行选择性锗硅工艺前，对NMOS区域采用氧化物或氮化物保护层，显影后，对PMOS进行硅衬底的刻蚀和残留聚合物的去除。 具体步骤如下： 1. 淀积一层的SiO2，作为SiGe外延生长的阻挡层。 2. 通过光 …

Epitaxial SiGe and SiC (P) are used for the stressor materials in pMOSFET and nMOSFET respectively. In this paper, we summarized the process evolutions in the field of source/drain engineering since 28 nm planar device structures until the most recent FinFET technology with smaller dimensions.

2022年5月9日 · 应变硅技术是指通过应变材料产生应力，并把应力引向器件的沟道，改变沟道中硅材料的导带或者价带的能带结构，可以通过合理的器件设计来获得合适的应力方向从而减小能带谷内、谷间散射概率以及载流子沟道方向上的有效质量，达到增强载流子迁移率和提高器件速度的目的。 基础概念. 在硅衬底材料中，硅具有多能谷的能带结构，沿<100>方向上其导带由六个简并能谷构成，这六个简并能谷分别有六个导带极值，并且导带底附近的等能面形状为旋转椭球面， …

然后说一下 SiGe工艺的概念：SiGe工艺（应变硅），是在制造电路结构中的双极晶体管时，在硅基区材料中加入一定含量的Ge形成应变硅异质结构晶体管，以改善双极晶体管特性的一种硅基工艺集成技术。

2023年12月20日 · SiGe是一种半导体合金材料，由硅 (Si)和 (Ge)元素构成，其具有优异的电学、光学和热学性能。 同时，SiGe材料的禁带宽度随着含锗量的增加而缩小，因此具有比单晶硅更高的载流子移率和更低的电阻。

外延（Epitaxy，简称Epi）是在单晶衬底上生长一层与衬底具有相同晶格排列的单晶材料的过程。 这种生长方式可以形成同质外延层，如Si/Si，或者异质外延层，如SiGe/Si或SiC/Si。

2024年12月20日 · 本文介绍SiGe外延工艺及其在外延生长、应变硅应用以及GAA结构中的作用。 在现代半导体技术中，随着器件尺寸的不断缩小，传统的硅基材料逐渐难以满足高性能和低功耗的需求。

2025年1月8日 · 在SiGe 材料中随着 Ge成分的增加，其禁带宽度从硅的1.17电子伏递减到锗的0.67电子伏，能带宽度的变化降低了材料的电阻率。 用SiGe 材料制成的晶体管在射频领域（f T>50 GHz)显示了极强的竞争优势。 用SiGe 材料制成的晶体管和RF电路有极低的噪声。

Compressively strained Ge-rich alloys with high hole mobilities can also be grown on relaxed SiGe. We review progress in strained Si and dual channel heterostructures, and also introduce high hole mobility digital alloy heterostructures.