2022年4月13日 · 因此对于脉冲激光雷达而言，首选具有时间门控和时间戳功能的探测器，例如 apd，spad 和 sipm； 其中，只有 spad 和 sipm 具有单光子敏感性； 大规模的 apd 阵列设计很重要，由于 apd 需要专业技术很高，大像素间距，快速模拟前端和高电压操作；

SiPM （硅光电倍增器）、 APD （雪崩光电二极管）和 SPAD （单光子雪崩二极管）是目前广泛用于车载传感器中的三种主要光电探测技术，它们在性能、成本、复杂度以及适用场景上各有特点。 虽然这三种探测器都采用雪崩效应来增强光信号，但它们在结构、工作原理和灵敏度等方面存在显著差异。 SiPM作为一种阵列化的单光子雪崩二极管技术，提供了较高的光子探测效率和低噪声特性，尤其适合低光环境下的高灵敏度探测。 与其相比，APD作为单一光电二极管，适用于 …

目前根据激光雷达在不同系统应用场景下主要使用APD、PIN光电二极管、单光子雪崩二极管（SPAD）、硅光电倍增管（SiPM）做为探测器。 下面将讲述APD的使用。 一、APD的结构. APD的基本结构是PN结，常见的为N+PΠP+（拉通型）结构，如下图所示，PN+结的耗尽区承受了反向偏压的大部分压降，耗尽区向P区扩散。 Π区为接近本征态的低参杂区，电场较低，但足以是载流子保持一定的飘移速率。 当偏压加到一定程度后，耗尽层将被拉通到Π型区，一直抵 …

雪崩光电二极管(apd)(又稱累崩光電二極體或崩潰光二极体)是一种半导体光检测器，其原理类似于光电倍增管。 在加上一个较高的反向偏置电压后（在硅材料中一般为100-200 V），利用 电离碰撞 （ 雪崩击穿 ）效应，可在APD中获得一个大约100的内部电流增益。

雪崩光电二极管 (apd) APD 是通过施加反向电压产生的具有内部增益的光电二极管。 较之于 PIN 光电二极管，它们具有更高的信噪比 (SNR)、快速响应、低暗电流和高灵敏度的特点。

APD 雪崩光电二极管技术较为成熟，是使用最为广泛的光电探测器件。 目前 APD 的典型增益是 10-100 倍，在进行远距离测试时需大幅提高光源光强才能确保 APD 有信号。 SPAD 单光子雪崩二极管和 SiPM/MPPC 硅光电倍增管主要是为了解决增益能力和大尺寸阵列的实现而存在：1）SPAD 或者 SiPM/MPPC 是工作在盖革模式下的APD，理论上增益可达到 APD 的 100 万倍以上，但系统成本与电路成本均较高；2）SiPM/MPPC 是多个 SPAD 的阵列形式，可通过多个 SPAD 获得 …

APD，SiPM，SPAD本质上都是光电二极管，即反向偏置的PN结。 下图分别显示了工作在不同模式下的光电二极管的I-V曲线，增益和偏压的关系。 随着偏压的增大，光电二极管工作在三种不同的模式，分别是传统的光电二极管模…

本报告总结了在商用硅基光电子工艺中制造的硅基锗（Ge-on-Si）雪崩光电二极管（APD）提高灵敏度的研究成果[1]。该研究设计并测试了具有独立吸收、充电和倍增（Separate Absorption，Charge，and Multiplication，SACM）区域的APD。

雪崩光电二极管（APD）是现代光探测系统中的关键组件，具有高灵敏度和快速响应时间。本文将探讨APD的工作原理、优势及其在光信号处理中的应用。并且以 pSim Plus 仿真工具进行系统级仿真验证APD在系统中的具体贡献[1]。

雪崩 si-apd 最常见的应用之一是基于飞行时间法（ lidar ）的测距系统。 在飞行时间法中， 905n 脉冲激光二极管发射激光脉冲，该激光脉冲从物体上反射，并通过光学器件聚焦到 APD 芯片上。