2017年7月28日 · Original file ‎ (1,155 × 699 pixels, file size: 150 KB, MIME type: image/png)

硒化亚锡，又称一硒化锡，是一种无机化合物，化学式为SnSe。 它是窄带隙(IV-VI) 半导体 ，人们对其在低成本 光伏器件 和存储器开关器件的应用有着相当大的兴趣。

2022年10月17日 · Here, we develop a physical vapor deposition approach to synthesize two-dimensional p-doped SnSe. The local phase segregation of SnSe 2 microdomains and accompanying interfacial charge transfer...

2014年4月16日 · We attribute the remarkably high ZT along the b axis to the intrinsically ultralow lattice thermal conductivity in SnSe. The layered structure of SnSe derives from a distorted rock-salt...

硒化亞錫，又稱一硒化錫，是一種無機化合物，化學式為SnSe。 它是窄帶隙(IV-VI) 半導體 ，人們對其在低成本 光伏器件 和存儲器開關器件的應用有著相當大的興趣。

2020年8月7日 · Crystal structure of orthorhombic SnSe and GeSe (red: selenium, gray: tin and germanium)

硒化锡是锡(IV)的硒化物，化学式为SnSe 2 。难溶于水，可溶于碱和浓酸。 [1]

With a layered structure, exfoliated thin-films from tin(IV) selenide (SnSe 2) powder offer new opportunities for practical applications as the electrode material for lithium-ion batteries, electric keys, field-effect transistors, photodetectors and supercapacitors.

硒化锡，是一种无机化合物，化学式为SnSe，为灰色正交晶系晶体，具半导体性。2017年10月27日，世界卫生组织国际癌症研究机构公布的致癌物清单初步整理参考，硒和硒化合物在3类致癌物清单中。

2022年7月1日 · We find that pristine SnSe possesses a direct bandgap value of 0.90 eV having good comparable to experimental value. The doping of O and S tunes the bandgap of SnSe, which can be promising for photovoltaic devices.