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2025年3月15日 · Stats, score, streams, and VODs from Soi Thai Esports vs. IGNITE - Grand Final match of BREAKPOINT 2025 MY/SG: Split 2 Valorant event

2025年2月18日 · atch these ladies get wild on soi 6

Follow along with my mistakes in my first streamed draft!

162 Followers, 130 Following, 18 Posts - S O I (@soi.arch) on Instagram: "c o l l e c t i v e d e s i g n & a r ch i t e c t u r e •architecture •interiors •design Switzerland [email protected]"

SIMOX，全名Separation by IMplantation of OXygen，即利用氧离子的注入和后续的高温退火来在硅晶体中形成一个厚的二氧化硅（SiO2）层，这个层作为SOI结构的绝缘体层。 高能氧离子被注入到硅衬底中的一个特定深度。 通过控制氧离子的能量和剂量，能够确定将来的二氧化硅层的深度和厚度。 注入氧离子的硅片经历一个高温退火过程，通常在1100°C到1300°C之间。 在这个高温下，注入的氧离子与硅反应，形成一个连续的二氧化硅层。 这个绝缘层被埋在硅衬底下面，形 …

Latch up 是指cmos晶片中, 在电源power VDD和地线GND (VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一低阻抗通路, 它的存在会使VDD和GND之间产生大电流。 Latch-up发生的条件： (i)当两个BJT都导通，在VDD和GND之间产生低阻抗通路; (ii) 两个晶体管反馈回路（feedback loop）增益的乘积大于1（ \beta_ {1}\times \beta_ {2}\geq 1 ）。

2024年9月12日 · ATCH 中断连接指令，当EN端口执行条件存在时，将一个中断源和一个中断程序建立响应联系，INT端口中断程序入口地址，即中断程序名称，在建立联系后，若中断程序名改变，则INT端口指定名称也随之改变。

为避免闩锁效应，早期采用 SOS (Silicon On Sapphire) 技术制作CMOS电路，即在蓝宝石绝缘衬底上外延硅，之后制作器件，这就有效的避免MOS管的源、漏区和衬底之间形成PN结。 但是，蓝宝石价格昂贵，无法普及；蓝宝石和硅晶格不匹配，影响外延硅的质量。 故研究采用 SiO2 代替的蓝宝石的可能性势在必行，即SOI (Silicon On Insulator)。 20世纪80年代中期，注氧隔离和硅片键合等技术逐渐成熟，促使大面积的SOI硅片商用成为现实。 20世纪90年代后，薄膜全耗尽 (Full …