2023年5月28日 · 0.18µm 200V SOI-BCD Technology with Ultra-Low Specific On-Resistance LDMOS for Automotive Application Abstract: In this work, a new 200V 0.18µm SOI-BCD platform has been developed comprehensively including the …

This paper presents a new SOI BCD technology at the 0.18μm node to fulfill the requirements for smart power IC technology targeted for automotive application. Built on a 1.8V and 5.0V CMOS core, there are 40V and 60V rated N/Pch MOS, with 25mΩ.mm 2 RonA/57V BVdss having been achieved for the 40V NMOS with excellent process stability.

2015年7月1日 · 本论文的主要工作是在现有的200VSOI．BCD工艺平台上开发一款中压LDMOS。 本文首先对现有的微电子制造工艺进行了简单介绍，之后对REsuI江原理、场板结构、隔离技术等常用的LDMos设计理论进行了探讨。 之后通过使用Sental删s，Tsuprcm一4和Medici等仿真软件对soH。 DMOs的漂移区长度、沟道长度、N阱伊阱宽度等工艺参数进行仿真，分析了这些参数对器件的阈值电压、导通电阻、关态击穿电压和饱和电流等参数所产生的影响。 在仿真的基础上 …

soi 介质隔离技术，开发了200v nldmos 以及200v pldmos 以及200v 高压特种器件nligbt， 实现了芯片高电压大电流驱动能力。 该工艺所采用的深槽刻蚀、填充方法与传统的CMOS 工艺生产线

2023年6月2日 · 全新XT011 BCD-on-SOI平台反映了模拟应用中对更高数字集成和处理能力日益增长的需求。其将SOI和DTI极具吸引力的特性结合在一起，因此与传统Bulk BCD工艺相比，高密度 数字逻辑 和模拟功能可以更容易地集成至单个芯片。

A-BCD is a family of 100 V BCD processes on SOI offering latchup free operation, improved robustness, superior EMC performance, higher packing density, lower mask count, high temperature and higher frequency operation and easier design over bulk silicon technology.

X-FAB offers the most extensive foundry BCD-on-SOI technology portfolio. Our modular solutions combine the benefits of SOI wafers with deep trench isolation (DTI) and a wide range of robust HV CMOS, bipolar and well-matched passive primitive devices.

2007年2月1日 · SOI based BCD technology enables latch up free solutions. Class-D audio amplifiers use this feature together with the relatively small reverse recovery current to increase performance over bulk solutions. Unlike on bulk, thyristors can be embedded in the process, without disturbing the other control circuitry.

2023年11月24日 · SOI全称为Silicon-On-Insulator，即绝缘衬底上的硅，该技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。 原理就是在硅晶体管之间，加入绝缘体物质，可使两者之间的寄生电容比原来的少上一倍。 形成SOI材料 的技术有以下3类： SOI的优势. SOI材料具有了体硅所无法比拟的优点：可以实现集成电路中元器件的介质隔离，彻底消除了体硅CMOS电路中的寄生闩锁效应；采用这种材料制成的集成电路还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道 …

XT018 is our leading 180 nm BCD-on-SOI technology solution supporting automotive AEC-Q100 Grade 0 designs. It is a comprehensive modular platform with a complete portfolio of different voltage options – covering a 10 V to 375 V operating voltage range, depletion transistors, complementary high-performance and high-voltage bipolar transistors ...