Suì-Fēng (砕蜂 (ソイフォン), Soifon; Viz "Soi Fon"),[note 1] born Shāolíng Fēng (蜂 (フォン) 梢綾 (シャオリン), Fon Shaorin; Viz "Shaolin Fon"),[note 1] is the commander-in-chief of the Onmitsukidō and the captain of the Second Division in the Gotei 13. Her lieutenant is Marechiyo Ōmaeda. Suì-Fēng is a relatively...

2019年11月5日 · Captain Soi Fon doesn't get the same level of glory or screen time as the likes of Byakuya Kuchiki or Kenpachi, but fans of hers know that this is one tough lady. She earned her Captain rank 100%, and there's more to her than those icy glares she gives everyone.

Fast Artificial Neural Network (FANN) Library is a free open source neural network library, which implements multilayer artificial neural networks in C with support for both fully connected and sparsely connected networks. Cross-platform execution in …

人工神经网络库FANN（Fast Artificial Neural Network Library）是一款自由开源的软件库，用于实现和训练人工神经网络。FANN库提供了一套完整的API，用C语言编写，允许开发者创建、训练和使用多层前馈神经网络。这种...

1 天前 · Fann英文名什么意思： “Fann”是一个源自英语的女性名字，意为“自由的人”。 它的中文译名是“范恩”，其中“范”是一个姓氏，意为“模范、典范”，“恩”则是一个美好的品质，意味着仁慈与宽容。 因此，“范恩”寓意着一个充满自由、典范而又仁慈宽容的人，有着独立自主的性格与坚定的信念。 如果你取名“范恩”，那么你的宝宝将会拥有这样一个充满正能量的名字，为她的未来打下坚实的基础。 Fann英文名给老外感觉： Fann英文名在外国人眼里是一个女性占比多的名字，给人 …

Join our creative artists and sell your products around the world. Artisans create their handmade products with lots of love. Products are received by Souqfann, sourced, and then posted on …

快速人工神经网络（FANN）库 是一个免费开源的神经网络库，用C语言实现多层人工神经网络，支持全连接和稀疏连接网络。 支持跨平台执行，包括定点和浮点运算。 它包含一个易于处理训练数据集的框架。 该库易于使用、功能多样、文档完善且运行速度快。 可用于15种以上编程语言的绑定。 库附带一篇易读的介绍文章和参考手册，其中包含示例和使用建议。 该库还提供多个图形用户界面。 首先，克隆仓库： 完成后，进入根目录。 在这种情况下是./fann： 然后运 …

SIMOX，全名Separation by IMplantation of OXygen，即利用氧离子的注入和后续的高温退火来在硅晶体中形成一个厚的二氧化硅（SiO2）层，这个层作为SOI结构的绝缘体层。 高能氧离子被注入到硅衬底中的一个特定深度。 通过控制氧离子的能量和剂量，能够确定将来的二氧化硅层的深度和厚度。 注入氧离子的硅片经历一个高温退火过程，通常在1100°C到1300°C之间。 在这个高温下，注入的氧离子与硅反应，形成一个连续的二氧化硅层。 这个绝缘层被埋在硅衬底下面，形 …

SOI全名为Silicon On Insulator，是指 硅 晶体管 结构在 绝缘体 之上的意思，原理就是在硅晶体管之间，加入绝缘体物质，可使两者之间的寄生 电容 比原来的少上一倍。 优点是可以较易提升 时脉，并减少 电流 漏电 成为省电的IC，在工艺上还可以省略部分 光掩模以节省成本，因此不论在工艺上或是电路上都有其优势。 此外，在SOI晶圆（SOI wafer）本身衬底的阻抗值的部分也会影响到元件的表现，因此后来也有公司在衬底上进行阻抗值的调整，达到射频元件（Radio frequency …

SOI工艺通过使用高电阻率绝缘衬底的堆叠 FET 处理高功率输出时的高电压摆幅，减少射 频信号的衬底耦合。 随着 HR SOI 技术的 发展，SOI 晶圆成本的不断降低。 SOI CMOS 工艺是在传统的Bulk CMOS工艺（a）的基础上，通过在器件和衬底之间增加一层 埋氧层 (Buried Oxide) 来实现的（b）。 掩埋氧化物层的 介电常数 小于硅，所以Cbox<Cj，源极和漏极之间的边缘电容Cfr 减小，SOI MOSFET与衬底的耦合电容更低，通常衬底耦合电容会降低4到8倍，因此在所有频率下 …