2024年4月5日 · 在一个多层柱状结构中，在单位时间内垂直穿过单位面积的电子数量可以表示为（J是电流密度，e是单个电子的电量绝对值），因此，电流中总的角动量可以表示为。 当这样的电流穿过磁性材料层时，电流中的极化电子会在约1nm内重新被极化，极化方向是磁性材料的磁化方向。 这相当于电流中电子的角动量在材料表面被吸收，根据角动量守恒可知，这样的吸收相当于把电子的角动量传递给了磁性材料，等效为对磁性材料的磁矩施加了一个力矩的作用，这个力矩 …

Single-interface MTJ Double-interface MTJ without SyF Calculation 0 0 10 20 30 40 50 Junction diameter (nm) 60 70 80 150

瑞萨电子最近增加了 MRAM 器件，该器件使用了一种基于垂直磁隧道结 (p-MTJ) 的专有 自旋转移扭矩 MRAM (STT-MRAM)。 p-MTJ 包括固定且不可改变的磁层、电介质阻挡层和可改变的铁磁存储层。

Spin-transfer torque magnetic tunnel junction (STT-MTJ) broadens the operation of electronic devices by using the electron spin along with its charge. In this work, the static behavior of the STT-MTJ is investigated using a mathematical model and a SPICE subcircuit.

We demonstrate a novel 14nm magnetic tunnel junction (MTJ) for achieving high-retention and high-speed writing simultaneously in 1Z (15-14) nm Spin-Transfer-Tor

STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型非易失性磁随机存储器，是磁性存储器MRAM 的二代产品。 STT-MRAM存储单元的核心仍然是一个MTJ，由两层不同厚度的铁磁层及一层几个纳米厚的非磁性隔离层组成，它是通过自旋电流实现信息写入的。

An MTJ SPICE model allows circuit designers to simulate key aspects of spin-transfer torque MRAM (STT-MRAM) such as read and write delays. Our self-contained, physics-based magnetic tunnel junction (MTJ) SPICE model can reproduce realistic MTJ characteristics based on user-defined input parameters such as the free layer's length, width, and ...

2010年5月18日 · The electrical behavior of a magnetic tunnel junction (MTJ) using spin-torque-transfer (STT) switching was modeled using a SPICE subcircuit. The subcircuit is a two-terminal device that exhibits the electrical characteristics of an STT-MTJ.

使用0.046 um 2的单元面积（容纳不同CD 的MTJ）来生产22nm的32Mb嵌入式STT-MRAM，以满足不同的保留和性能要求。 该技术支持6倍的回流焊能力和-40C至150C的操作，数据保留时间超过10年。

2014年12月1日 · Compact modeling of STT-MTJ is essential for integrated design, performance analysis and optimization. Unique from previous approaches on macro-modeling or direct implementation of the LLG equation, this work proposes a set of closed-form solutions, which map the physics of the LLG equation into a RC network.