feol、beol和mol——逻辑芯片的关键部分. 前沿逻辑芯片的制造可以细分为三个独立的部分：前道工序（feol）、中间工序（mol）和后道工序（beol）。 feol涵盖了芯片有源部分的加工，即位于芯片底部的晶体管。

2024年12月19日 · 在集成电路制造中，前道工艺（FEOL, Front End of Line） 和 后道工艺（BEOL, Back End of Line）是两个密切相关、但工艺内容和目标完全不同的阶段。 要理解它们的区别，可以将整个半导体制造过程比喻为建造一座智能大厦：前道工艺相当于“建设基础与结构框架”，而后道工艺则是“完成内部连线与功能集成”。 一、前道工艺（FEOL）的定义与内容 1. FEOL是什么？ 前道工艺是集成电路制造的第一个主要阶段，主要目标是 在半导体晶圆上完成各类器 …

2024年6月17日 · 半导体制程中芯片后道工艺（英文：Back-end of Line，简称：BEOL），是半导体制造过程中，从晶圆测试（CP测试）到形成最终电路功能并做完最终检查的关键工艺阶段。

2020年9月1日 · In this study, we investigate the impact of the BEOL architecture in terms of via density and metal density on the occurrence and the location of BEOL cracks by performing shear microprobing, local bump pull tests and in-situ micro beam bending tests, combined with post-mortem scanning electron microscopy (SEM) and focused ion beam (FIB) cross s...

10-nm 2nd-generation BEOL technology is described with an optimized illumination system and multi-patterning lithography. While the optimized illumination system offered a possibility to pattern reduced metal pitches in the preferred orientation, difficulties of T …

2020年4月26日 · 与之相对应的是后道(back end of line，BEOL)工艺，后道实际上就是建立若干层的导电金属线，不同层金属线之间由柱状金属相连。 目前大多选用 Cu 作为导电金属，因此后道又被称为 Cu 互联(interconnect)。

we can consider BEOL structure as composed of the metal layers, and the VIA layers connecting different metal layers. To faithfully model BEOL statistical behavior for simulation. first we need to characterize the variations and correlations in (intra-layer) and between (inter-layer) every .

线（beol），以提高集成密度和芯片功能。 此外，该 1T1R 数字存储器阵列随后用作 BEOL 缓冲器宏，并与另一个基于 HfO2 的 128 kb 模拟 RRAM 阵列和 Si CMOS 逻辑进行单片 3D (M3D) 集成，以加速 CIM。

This Top-pSOT-MRAM device exhibits a high TMR exceeding 130% and excellent thermal stability during the BEOL process up to 400 o C. When assisted by STT, the field-free SOT switching achieves impressive speed, as fast as 10 ns, and demonstrates robust endurance exceeding 10 10 cycles.

2022年6月15日 · 电阻是造成BEOL环节RC延迟的主要原因，为了进一步发展铜互连技术，这一问题必须得到解决。 传统的方法是通过减小 TaN层 厚度或调节TaN电阻以减小通孔电阻，但这种方法在特征尺寸较小时会受到阻挡层性能要求的限制，强行进行调节会带来可靠性失效的其他副作用。 一种新的技术方案能够在减小通孔底端TaN层厚度的同时控制侧壁阻挡层的厚度，但在PVD/ALD TaN沉积工艺由于其非选择性的固有特性，无法达到同等效果。