4H-SiC epitaxial layer growth by trichlorosilane (TCS)
2008年12月15日 · In this work, 4H-SiC epitaxial layers have been grown using trichlorosilane (TCS) as the silicon precursor together with ethylene as the carbon precursor. TCS is the …
碳化硅功率器件之三 - 知乎 - 知乎专栏
作为对CVD法的改进，TCS法采用三氯氢硅（TCS）代替硅烷作为前驱气体，可以同时实现 生长速率大幅提升和质量的有效控制，非常有利于碳化硅厚膜外延生长。 TCS技术 率先由 意大 …
半导体碳化硅（SIC）外延技术分析的详解； - 知乎专栏
普兴电子量产的 sic 外延片质量获得了下游头部器件厂商的高度认可,截至2023年q3,其6时n型sic外延出货量超10万片,其中20%的出货是用于生产汽车主驱sic mosfet。
化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展-电子工程专辑
2023年2月15日 · 快速 SiC 外延工艺是解决这一问题的关键,Leone 和 Henry 等 在工艺中加入 HCl 气体或采用含 Cl 化合物如 SiHCl3 (TCS)、SiCl4等,实现了高达 112 μm / h 的高质量快速外延, …
Surface morphology of 3C–SiC layers grown on 4H–SiC substrates …
2024年11月1日 · In this paper, the CVD growth of 3C–SiC epitaxial layers on 4H–SiC substrates using TCS as silicon precursor has been demonstrated. The influence of important growth …
carbide (SiC) is a promising material in the fields of high tem-perature, high power and high frequency devices, due to the wide band gap, high critical breakdown field and high thermal …
利用三氯氢硅(TCS)作为硅源在4H-SiC上外延生长的研究 - 道客巴巴
2013年8月14日 · IntroductionAs a third-generation semiconductor material, siliconcarbide (SiC) is a promising material in the fields of high tem-perature, high power and high frequency devices, …
利用三氯氢硅(TCS)作为硅源在4H-SiC上外延生长的研究 - 百度学术
利用水平热壁CVD系统,分别采用三氯氢硅(TCS)和乙烯作为硅源和碳源,在10mm×10mm 的n型偏晶向4H-SiC衬底上进行了外延生长实验.在1600°C,TCS流量为12sccm,碳硅比为0.42的生长条件 …
SiC4H Epitaxial Layer Growth Using Trichlorosilane (TCS) as …
2006年10月15日 · 4H-SiC epitaxial layers have been grown using trichlorosilane (TCS) as the silicon precursor source together with ethylene as the carbon precursor source. A higher C/Si …
SiC-4H Epitaxial Layer Growth Using Trichlorosilane (TCS) as …
4H-SiC epitaxial layers have been grown using trichlorosilane (TCS) as the silicon precursor source together with ethylene as the carbon precursor source. A higher C/Si ratio is necessary …