2023年9月25日 · 在3D IC集成中，对于上下堆叠是同一种芯片，通常TSV就可以直接完成电气互联功能了，而堆叠上下如果是不同类型芯片，则需要通过RDL重布线层将上下层芯片的IO进行对准，从而完成电气互联。

2024年8月26日 · RDL是将原来设计的芯片线路接点位置 (I/O pad)，通过晶圆级金属布线制程和凸块制程改变其接点位置，使芯片能适用于不同的封装形式。 基于明阳在半导体领域的布局，先进封装载板与测试板进行工艺技术研发。 当前工艺主要分为tenting，mSAP，SAP三种，Tenting制程由于蚀刻工艺的限制， 通常难以制作线宽/线距小于30/30μm的线路，mSAP制程的是在超薄铜箔上进行线路铜的加厚，随后通过闪蚀工得到完整的导电线路。 具有制作线宽/线距小至25/25μm及 …

在2.5D封装中，在中介层（SI Interposer）的硅通孔（TSV）工艺技术用于芯片到基板的电气连接，细线条布线中介转接层针对的是FPGA、CPU等高性能的应用，其特征是正面有多层细节距再布线层和细节距微凸点，主流硅通孔（TSV）工艺技术深宽比达到10:1，厚度约为100μm。

在先进封装的FI WLP (Fan-In Wafer Level Package) ，FOWLP (Fan-Out Wafer Level Package) 中，RDL是最为关键的技术，通过RDL将IO Pad进行扇入Fan-In或者扇出Fan-Out，形成不同类型的晶圆级封装。

2023年4月17日 · 芯片的垂 直方向互连依赖硅通孔（TSV）或玻璃通孔（TGV）等技 术，水平方向上通过再布线层（RDL）技术进行互连。 本 文综述了 TSV、TGV、RDL 等 芯片三维互连技术，分析基于这些互连技术的三维异质集成方案及应用，阐述 当前研究现状，并探讨存在的技术难点及未来发展趋势。 2 芯片三维互连技术. 通过垂直方向上的 TSV/TGV 技术与水平方向上 的 RDL 技术的配合，对芯片进行三维互连，可将不同 尺寸、材料、制程和功能的 Chiplet 异质集成到 1 个封 …

2023年12月15日 · In this article, the frequency-dependent transmission characteristics of the TSV and RDL are investigated. Three test vehicles were designed for frequency-domain measurement and verification. The through–reflect–line (TRL) deembedding process is introduced to obtain the accurate S -parameters of the TSV-RDL coplanar waveguide (CPW).

2025年3月18日 · 小结一下：Wafer、Bump、RDL和TSV是先进封装中的四大关键技术要素，它们分别从材料基础、连接、信号分配和垂直互连四个角度，解决了高性能封装中的不同问题。

2023年5月9日 · 在硅基板的正面和背面制作重新分配层（RDL），可以为 TSV 和硅衬底上集成的芯片提供互连基础。 RDL Interposer 技术可以提高信息传输的效率和稳定性，在制造集成电路和其他电子元器件方面具有较高的应用价值。

2024年9月20日 · RDL（Redistribution Layer，重布线层）是在芯片封装中用于重新分配电气信号的金属层。 它的主要作用是将芯片上的原始引脚重新布线，以便与封装基板或其他芯片进行更有效的电气连接。

In this paper, electrical measurement and analysis of TSV/RDL is carried out, to evaluate the fabrication process and get a comprehensive understanding of electrical properties of TSV/RDL interconnect structures. DC resistance, leakage current and high frequency characterization are …