
Transition metal dichalcogenide monolayers - Wikipedia
Transition-metal dichalcogenide (TMD or TMDC) monolayers are atomically thin semiconductors of the type MX 2, with M a transition-metal atom (Mo, W, etc.) and X a chalcogen atom (S, Se, or Te). One layer of M atoms is sandwiched between two layers of X atoms.
Category : Transition metal dichalcogenide monolayers
Excitons as hydrogenoid energy level.png 416 × 676; 1.08 MB. Field Effect Transistor MoS2.jpg 884 × 486; 75 KB. Fotodetector de MoS2.jpg 834 × 529; 80 KB. K valley TMDC monolayer.jpg 701 × 357; 44 KB. Monolayer MoS2 photoluminesence at 4K.png 1,009 × 612; 14 KB. Monolayer TMDC structure.jpg 862 × 292; ...
过渡金属二硫属化物单层 - 维基百科,自由的百科全书
过渡金属二硫属化物 (TMD 或 TMDC) 单层材料 是MX 2 类型的原子层 半导体 材料薄膜,其中M是 过渡金属 原子,包括 钼 (Mo)、 钨 (W)等,X是 硫族 原子,包括 硫 (S)、 硒 (Se)、 碲 (Te)。 一层M原子夹在两层X原子之间,即构成该 二维材料。 与第一行 过渡金属二硫化物 相比,这些材料的关键特征是二维结构中大原子间的相互, WTe 2 表现出反常的 巨磁阻 和 超导性。 [1] 而WSe 2 作为一种二维材料,广泛应用于电子器件、光电器件、能源存储与 …
2D 过渡金属族硫属化物(TMDC)的光致发光 - 知乎
光致发光是第一个在实验上证明样品MoS2多层到单层发生间接到直接间隙跃迁的技术。 8.1. Intrinsic PL from Monolayers Versus Few-Layer Structures. 8.1.1 层数的影响. TMDCs由多层膜到单层膜会发生间接带隙到直接带隙的转变,相对应的TMDC所对应的PL的强度由多层膜到单层膜迅速增强。 见图8.1. Fig. 8.1 PL intensity dependence (upper panel) and PL energies (lower panel) for different thicknesses of MoS2 [1] WS2和WSe2也是同样的结果。 如图8.2.
Structure of transition-metal dichalcogenides (TMDCs). (a) …
Two-dimensional (2D) transition-metal dichalcogenides (TMDCs) exhibit unique electrical, optical, thermal, and mechanical properties, which enable them to be used as building blocks in compact and...
万字长文:带你从制备到应用全面了解二维过渡金属硫化物(TMDC…
2018年11月29日 · 与石墨烯类似, tmdc拥有诸多优良的特性,例如良好的机械柔韧性和热稳定性、特别是在电化学能量储存转化,以及在光学、电学器件中得到了广泛的应用.在本文中,我们将介绍关于tmdc的最新发展以及相关的合成方法,对控制和合成tmdc 相关机理的阐述.此外,我们 ...
Nature子刊最新综述:2D过渡金属硫化物 - 材料牛
2017年6月22日 · 以MoS 2 为代表的2D过渡金属硫化物 (TMDCs)由于具有特殊的能带结构、半导体或超导性质以及优秀的机械性能等,在纳米电子器件和光电子学等诸多领域具有广阔的应用前景,引起了广大研究者们的兴趣,成为了近年来低维功能材料领域研究的热点。 近日, 瑞士洛桑联邦理工学院(EPFL)的Andras Kis (通讯作者) 等人应邀在 Nature Reviews Materials 上发表了题为“ 2D transition metal dichalcogenides ”的综述文章。
2D 过渡金属族硫属化物(TMDC)的光致发光(2)-缺陷 - 知乎
作者专门在原始的单层WS2 和MoS2六方晶格中,通过等离子处理引入原子尺寸的缺陷,发现半导体性的TMDC的 拉曼谱图 (532nm 激发)对缺陷不敏感,但是他们的PL揭示了一个明显的与缺陷相关的光谱特征,位于比中性自由A激子峰低0.1eV的位置,(如图8.10),这与缺陷结合的中性激子有关。 在TMDC中缺陷激活的PL同样被 [23]的研究者所报道。 他们发现缺陷相关的PL在气体环境(如N2)中明显,在真空中不存在。
【Rep. Prog. Phys.】单层TMDC及其异质结的谷极化调控进展
目前,二维tmdc材料及异质结的谷调控策略主要包括光泵浦,外部磁场,静电掺杂,缺陷工程,应变调控以及利用铁磁材料异质结构,等离激元结构和莫尔超晶格等界面效应(如图1)。
Nano Res.[形貌]│黄勃龙课题组:过渡金属硫属化合物异质结中褶皱 …
2025年1月14日 · 过渡金属硫属化合物(tmdc)是一类具有独特电子、光学和机械性质的二维材料。 这些材料通常以单层或多层形式存在,由过渡金属原子(如钼、钨)与硫属元素(如硫、硒)形成。