2021年9月2日 · Our method offers a general and scalable route to produce TMDC single crystals towards future electronics. Sapphire (crystalline α-Al 2 O 3) is widely used as the epitaxial substrate in the III–V...

2023年2月24日 · SrTiO3 (STO) is a versatile substrate with a high dielectric constant, which may be used in heterostructures with 2D materials, such as MoS2, to induce interesting changes to the electronic structure. STO single crystal substrates have previously been shown to support the growth of well-defined epitaxial single-layer MoS2 crystals.

2023年10月16日 · In this study, we synthesized heterostructures of TMDC nanotubes, MoS 2 /WS 2 heteronanotubes, and demonstrated a technique for controlling features of their structures, such as diameters, layer numbers, and crystallinity.

2016年3月3日 · Research into layered transition metal dichalcogenides (TMDCs), most notably those of molybdenum and tungsten disulfides, has become extensive, involving fields as diverse as optoelectronics, spintronics, energy storage, lubrication, and catalysis.

過渡金屬二硫屬化物 （TMD 或 TMDC） 單層材料 是MX 2 類型的原子層 半導體 材料薄膜，其中M是 過渡金屬 原子，包括 鉬 （Mo）、 鎢 （W）等，X是 硫族 原子，包括 硫 （S）、 硒 （Se）、 碲 （Te）。 一層M原子夾在兩層X原子之間，即構成該 二維材料。 與第一行 過渡金屬二硫化物 相比，這些材料的關鍵特徵是二維結構中大原子間的相互， WTe 2 表現出反常的 巨磁阻 和 超導性。 [1] 而WSe 2 作為一種二維材料，廣泛應用於電子器件、光電器件、能源存儲與 …

过渡金属二硫属化物（tmd或tmdc）单层材料是mx 2 类型的原子层半导体材料薄膜，其中m是过渡金属原子，包括钼（mo）、钨（w）等，x是硫族原子，包括硫（s）、硒（se）、碲（te）。

2022年9月23日 · Here, we report a bulk MoS 2 metaphotonic platform realized by a chemical vapor deposition (CVD) bottom-up method, supporting both pronounced dielectric optical modes and self-coupled polaritons....

2017年6月22日 · 以MoS 2 为代表的2D过渡金属硫化物 (TMDCs)由于具有特殊的能带结构、半导体或超导性质以及优秀的机械性能等，在纳米电子器件和光电子学等诸多领域具有广阔的应用前景，引起了广大研究者们的兴趣，成为了近年来低维功能材料领域研究的热点。 近日， 瑞士洛桑联邦理工学院(EPFL)的Andras Kis (通讯作者) 等人应邀在 Nature Reviews Materials 上发表了题为“ 2D transition metal dichalcogenides ”的综述文章。

光致发光是第一个在实验上证明样品MoS2多层到单层发生间接到直接间隙跃迁的技术。 8.1. Intrinsic PL from Monolayers Versus Few-Layer Structures. 8.1.1 层数的影响. TMDCs由多层膜到单层膜会发生间接带隙到直接带隙的转变，相对应的TMDC所对应的PL的强度由多层膜到单层膜迅速增强。 见图8.1. Fig. 8.1 PL intensity dependence (upper panel) and PL energies (lower panel) for different thicknesses of MoS2 [1] WS2和WSe2也是同样的结果。 如图8.2.

直接带隙过渡金属二硫属化物（tmdc）mos 2和ws 2的光学性质很大程度上受其原子缺陷结构和基底相互作用的影响。 在这项工作中，我们使用低电压色差和球差 (C C /C S ) 校正的高分辨率透射电子显微镜来同时创建 TMDC 中的硫族空位并对其进行成像。