2023年7月1日 · Here, we summarize the research progress on the PL manipulation of the excitonic emission in TMDCs, where the PL intensity enhancement and emission wavelength regulation are included. The concept and characteristics of excitons are overviewed firstly, followed by the discussion on the evaluation and characterization of excitonic emission.

光致发光是第一个在实验上证明样品MoS2多层到单层发生间接到直接间隙跃迁的技术。 8.1. Intrinsic PL from Monolayers Versus Few-Layer Structures. 8.1.1 层数的影响. TMDCs由多层膜到单层膜会发生间接带隙到直接带隙的转变，相对应的TMDC所对应的PL的强度由多层膜到单层膜迅速增强。 见图8.1. Fig. 8.1 PL intensity dependence (upper panel) and PL energies (lower panel) for different thicknesses of MoS2 [1] WS2和WSe2也是同样的结果。 如图8.2.

2023年12月12日 · Here, we summarize studies of excitonic complexes in monolayer transition metal dichalcogenides and their moiré heterojunctions, envisioning how to utilize them for exploring quantum many-body...

2022年4月21日 · In TMDC heterobilayers—stacks of two different 1L TMDCs—PL has been used to investigate interlayer excitons (ILXs), whose electron and hole constituents reside in opposite layers .

2020年9月9日 · Two-dimensional (2D) transition metal dichalcogenide (TMDC) monolayers, a class of ultrathin materials with a direct bandgap and high exciton binding energies, provide an ideal platform to study the photoluminescence (PL) of light-emitting devices.

另一方面，在TMDC的表征中，PL通常作为测量光学带隙的方法。 E_ {b}^ {2D}=0.18eV+6.4\times10^ {-3} E_ {g}^ {4} 图 5.33 e–h为单层MoS2, MoSe2, WS2, and WSe2薄膜吸收光谱，吸收光谱可分为低能量区和高能量区，低能区是由相对较低吸收背景下的 激子跃迁 决定的。对于所有的TMDC单层膜，即激子的吸收峰A, B， 来源于在 布里渊区 的K点自旋分裂直接间隙跃迁。 这可能是由于单层TMDC中的激子结合能和带隙能之间存在相关性： 这可以通 …

在 [22]报道了，在单层TMDC中 缺陷诱发的PL。 作者专门在原始的单层WS2 和MoS2六方晶格中，通过等离子处理引入原子尺寸的缺陷，发现半导体性的TMDC的 拉曼谱图 （532nm 激发）对缺陷不敏感，但是他们的PL揭示了一个明显的与缺陷相关的光谱特征，位于比中性自由A激子峰低0.1eV的位置，（如图8.10），这与缺陷结合的中性激子有关。 在TMDC中缺陷激活的PL同样被 [23]的研究者所报道。 他们发现缺陷相关的PL在气体环境（如N2）中明显，在真空中不存在。

这里，我们总结了tmdcs激子发射的pl操纵的研究进展，其中包括pl强度增强和发射波长调节。 首先概述了激子的概念和特征，然后讨论了激子发射的评估和表征。

原子级薄的过渡金属二硫属化物 (tmdc) 是用于光子学和光电子学的有趣半导体，因此提高其光致发光 (pl) 效率对于这些应用至关重要。 为提高单层 TMDC 的 PL 性能做出了许多努力，但微观结构和 PL 效率之间的复杂性阻碍了对其 PL 性能的控制。

通过光谱测定缺陷密度的最佳基底是用于 PL 的聚苯乙烯和用于拉曼光谱的 SiC 和 Si/SiO 2 。 这些研究代表了仅使用光谱学来量化缺陷的重要一步，为光电器件的快速、可靠和自动化光学质量控制铺平了道路。