半导体芯片封装之---flip chip 技术（UBM沉积＋凸点制作） - 知乎
在UBM准备好后，要在上面制备出一定厚度的球形或者方形凸点，作为芯片互连的引脚。 凸点常用的材料是 Pb/Sn合金，因为其回流焊特性如自中心作用以及焊料下落等。 子中心作用减少了对芯片贴放的精度要求。 下落特点减少了共面性差的问题。 95Pb/5Sn或者87Pb/3Sn的回流焊温度较高330-350℃。 根据芯片的其他部分，有基板等的工作温度要求，开发出了高锡焊料，如37Pb/63Sn 的回流温度200℃左右。 对于凸点制作，则出现了很多种不同的方法，主要有. 5.1蒸镀焊料凸 …
晶圆凸点制作技术-CSDN博客
2018年6月27日 · 制作晶圆凸点的关键是UBM (under ball metal，沉积凸点下金属层)。 影响焊锡凸点结构可靠性的最直接因素就是UBM的制作质量。 UBM的主要作用是：a.作为互联的键合层；b. 阻挡ball材料原子扩散至下层金属材料；c. 粘接下层介电材料和金属层，并阻挡污染物沿介电层水平方向迁移至下层金属。 考虑到成本效益高于其他工艺特别是蒸镀，目前UBM多数由溅镀工艺制作。 一般而言，UBM必须要承受多次回流（经常高达20次）而不损坏。 由于UBM是将焊锡凸 …
浅谈先进封装技术_bump ubm-CSDN博客
2023年9月26日 · 制作晶圆凸点的关键是UBM(under ball metal，沉积凸点下金属层)。影响焊锡凸点结构可靠性的最直接因素就是UBM的制作质量。UBM的主要作用是：a.作为互联的键合层；b. 阻挡ball材料原子扩散至下层金属材料；c. 粘接下层介电材料和金属层，并阻挡污染物沿介电层水平 ...
微凸塊技術的多樣化結構與發展 - 材料世界網
2008年4月11日 · 凸塊(Bumping)技術在1995年代引進台灣，以濺鍍式凸塊(Sputtered bump)技術而言，相對於打線鍵結(Wire bonding)的接點連結方式，其製程特色採用薄膜、黃光與蝕刻以形成層狀結構的球下金屬層(UBM：Under bump metallurgy)、與後續的錫合金凸塊形成製程(錫膏)或植 …
半导体bumping工艺粗略介绍 - 知乎 - 知乎专栏
2023年4月7日 · Bumping工艺，又称凸点工艺，采用的是晶圆级封装，故又称 Wafer Bumping工艺 （圆片级凸点工艺）， 是 WLP （晶圆级封装工艺）过程的关键工序。 具体是指在晶圆的I/O端口的Pad上形成焊料凸点的过程。 如上图，圆片级凸点制作工艺常用的方法有多种, 每种方法都各有其优缺点, 适用于不同的工艺要求。要使wafer级封装技术得到更广泛的应用, 选择合适的凸点制作工艺极为重要。 在晶圆凸点制作中，金属沉积占到全部成本. 的50%以上。 最为常见的金属沉 …
半導體 UBM 製程介紹 | 辛耘企業 - Scientech
半導體 UBM 製程介紹 . 2023 年04月14日. UBM (under-bump metallization)是一種先進的封裝製程，主要是在晶片封裝中的集成電路 (IC) 與銅柱或焊點之間，製造薄膜金屬層。其功能是:
一文详解晶圆BUMP加工工艺和原理 - 知乎 - 知乎专栏
Bump的制程在fab之后，fab是将电路部分加工完成，一般有三层metal，最上层留有viatop，便于bump进行下一步的加工。 一般从fab过来的wafer都会有一道宏观检测，去检测是否从fab过来就有defect，类似刮伤、污染、破片之类的问题。 然后再做清除和烘烤去除wafer上的松散颗粒和有机污染物以及wafer上的水分。 完成了前序动作，才真正开始bump制程，首先在incoming的wafer上溅镀上一层薄薄的金属层，一般是3um-Tiw和2um-Cu，为fab的电路提供保护层并为fab和bump …
倒装焊接（Flip chip）技术与原理 - 电子工程专辑 EE ...
2021年6月6日 · 倒装芯片起源于20世纪60年代，由IBM率先研发出来，是将芯片功能区朝下以倒扣的方式背对着基板通过焊料凸点（简称Bump）与基板进行互联，芯片放置方向与传统封装功能区朝上相反，故称倒装芯片。 如下图1 所示. 图1 倒装芯片封装基本结构. 2 倒装芯片的优点与缺点. 倒装封装大大提高了电子器件集成度，近几年倒装新品啊已经称为高性能封装的互联方法，它的应用得到比较广泛快速的发展。 目前倒装芯片主要应用在WiFi ，SIP，MCM，CIS，微处理器等 …
一文详解晶圆BUMP加工工艺和原理 - CSDN博客
2023年9月26日 · Bump的制程在fab之后，fab是将电路部分加工完成，一般有三层metal，最上层留有viatop，便于bump进行下一步的加工。 一般从fab过来的wafer都会有一道宏观检测，去检测是否从fab过来就有defect，类似刮伤、污染、破片之类的问题。 然后再做清除和烘烤去除wafer上的松散颗粒和有机污染物以及wafer上的水分。 完成了前序动作，才真正开始bump制程，首先在incoming的wafer上溅镀上一层薄薄的金属层，一般是3um-Tiw和2um-Cu，为fab的电路提供 …
(PDF) Under bump metallurgy (UBM) - ResearchGate
2007年1月1日 · Wafer bumping is unavoidable process in flip chip packaging, thus, picking the correct bumping technology that is capable of bumping silicon wafer at high yield and a high reliability with lower...