Ultrathin-body SOI MOSFET for deep-sub-tenth micron era
A 40-nm-gate-length ultrathin-body (UTB) nMOSFET is presented with 20-nm body thickness and 2.4-nm gate oxide. The UTB structure eliminates leakage paths and is an extension of a …
【半导体先进工艺制程技术系列】FinFET和UTB-SOI简介-CSDN博客
2022年6月29日 · 另外一种是基于SOI的超薄绝缘层上的平面硅技术，称为 UTB-SOI，也就是FD-SOI 晶体管，研究发现要使UTB-SOI正常工作，绝缘层上硅膜的厚度应限制在栅长的四分之一 …
Optimized design of UTB SOI MOSFET and connections for 2.45 G …
2025年2月1日 · This paper presents and optimizes for the first time the design of UTB SOI MOSFET and its connection method for 2.45 GHz weak energy density harvesting, and …
FinFET与SOI技术革新-CSDN博客
同年该团队又提出了超薄体-绝缘体上硅UTB-SOI（FD SOI）减少寄生电容，晶体管的工作速度更快， 性能 更好。 这里着重对这两种结构进行详细阐述，使读者能够对这一技术革新有更好的 …
Experimental study on superior mobility in [110]-oriented UTB SOI ...
2005年10月24日 · The superior mobility in [110]-oriented ultrathin body (UTB) pMOSFETs with silicon-on-insulator (SOI) thickness (t/sub SOI/) ranging from 32 down to 2.3 nm is …
Performance Analysis of Fully Depleted Ultra Thin-Body (FD UTB) SOI ...
2016年2月3日 · This paper demonstrates the integration of fully depleted ultra thin-body Silicon on Insulator MOSFET (FD UTB SOI n and p-MOSFET) into CMOS inverter circuit. The proposed …
Ultra-Thin Body SOI MOSFET交流特性分析和结构优化
针对沟道长度为50nm的UTB SOI器件进行了交流模拟工作，利用器件主要的性能参数，详细分析了UTB结构的交流特性．通过分析UTB SOI器件的硅膜厚度、侧墙宽度等结构参数对器件交流 …
UltraThin Body SOI MOSFET交流特性分析和结构优化 - 豆丁网
2015年10月27日 · 侧墙宽度可以有效调节 器件的速度,而不会影响器件的静态功耗. 通过利用 UTB SOI MOSFET硅膜厚度和侧墙宽度对器件特性 的不同方面的影响,提出了一种方法有效缓解静态 …
Design considerations of ultra-thin body SOI MOSFETs
In this work, the speed performance and static power dissipation of the ultra-thin body (UTB) MOSFET are comprehensively investigated, with both DC and AC behaviors considered for …
Ultra-Thin Body SOI MOSFET交流特性分析 - 电子发烧友网
2011年12月8日 · 通过分析UTB SOI 器件的硅膜厚度、侧墙宽度等结构参数对器件交流特性的影响,对器件结构进行了优化. 最终针对UTB SOI MOSFET结构提出了一种缓解速度和功耗。