Vds 保护的核心是通过预驱内部集成的高速比较器检测三相驱动桥MOSFET 漏极（D）和源极（S）之间的电压差，当此电压差达到软件设定值，且持续时间超过了软件设

2017年7月3日 · 这里我整理了张图，对解决反激开关管的Vds电压尖峰问题有帮助。 首先来看看MOS应力公式：（理想化处理，不影响结论） Vds=Vin+n*Vo+Vspike =Vin+n*Vo+Ipk*（Lk/C1） 0.5. 这里两个主要参数的意义： 1、Lk是变压器漏感（实际还应包含PCB寄生电感）；

2022年6月7日 · 本文详细阐述了反激电路的基本构造，重点介绍了DCM (断续模式)和CCM (连续模式)的判断依据及其波形特点，以及MOS管在DCM和CCM模式下的Vds波形分析。 此外，讲解了六种方法应对MOS管VDS电压尖峰，涉及MOS管分类、驱动电路设计和选型注意事项，以及量产中的安装技巧和散热策略。 1. 反激拓扑电路的基本线路如下： 2. 两种工作模式DCM（断续）与CCM（连续） DCM和CCM的判断，并非只是单纯按照初级电流是否连续来进行判断，而是要 …

2021年11月1日 · 在MOS管中，Vdsat是指MOS管的饱和区漏电流对源漏电流的影响，即漏极电压（Vds）达到一定值后，漏电流不再随电压的增加而线性增加，而是呈现出饱和状态，此时的漏极电压称为Vdsat。

在nmosfet操作中，漏极和源极之间的电位（vds），以及栅极和源极之间的电位（vgs），总是正的。 当一个小的电压（VGS）被施加到栅极时，p型衬底中携带电荷的孔被排斥出衬底表面。

2018年6月15日 · 总体来说线性和饱和的定义是根据vds和沟道电流ids的关系来的，在线性区，ids随着vds增加而增加，近似线性关系。 当vds超过vgs-vth，即沟道夹断后，电流不随vds增加而增加，即电流饱和。

2019年6月11日 · 在栅源短接，漏-源额定电压 (VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。 根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。 关于V (BR)DSS的详细描述请参见静电学特性。 二、VGS最大栅源电压: VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。 设定该额定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。 实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压，但是会随制造工艺的不同而改变，因此保持VGS在额定电压以内可以保证应用的可靠性 …

2024年12月12日 · 本文介绍了MOSFET开关时间测试的基本原理，包括测试目的、设备设置和测试步骤，以及Vgs和Vds波形分析。 测试结果有助于评估MOSFET在特定应用条件下的响应速度，同时揭示其开关特性的关键参数。

vds（漏源电压） 定义与作用. vds是指mosfet的漏极（d）与源极（s）之间的电压。当mosfet导通时，vds主要影响mosfet的导通电阻（rds(on)）和功率损耗。在mosfet截止时，vds决定了mosfet的耐压能力。 应用场景的重要性

2024年9月29日 · 了解MOSFET中Vgs（栅极-源极电压）与Vds（漏极-源极电压）的相互作用是设计高效电路的关键。 本文详细剖析了Vgs与Vds在不同工作区间的作用机制,并提供了实际电路设计中的优化建议和典型应用案例。