Mathematical Model of InP VGF Crystal Growth - Springer
2023年8月24日 · This work presents a method for regulation of the temperature field via temperature control of six heaters during VGF growth of InP crystal with numerical simulation, …
VGF Growth and Property of 4 inch Diameter InP Single Crystals
Abstract: Undoped, S-doped and Fe-doped 4 inch diameter (100) InP single crystals with average dislocation etch pit density less than 5000 cm-2 have been grown by using high pressure …
The impact of cooling rate on the structure and properties of VGF-InP ...
2025年1月1日 · In the VGF-InP crystal growth technology, precise control of high-pressure gas flow within the furnace, melt temperature gradient, solid–liquid interface shape, and cooling …
垂直梯度冻结法生长InP晶体温度场调控及熔体 ... - X-MOL
与垂直布里奇曼法相比，垂直梯度冻结（vgf）工艺需要更精确地调节温度场，以确保晶种的成功引入和良好的晶体生长条件，例如合适的固液界面温度梯度。
Real Time Predictions of VGF-InP Growth Dynamics by Recurrent …
In this study, the Recurrent Neural Network (RNN) was combined with Computational Fluid Dynamics (CFD) to predict the temperature and crystal growth height during the growth of …
垂直梯度凝固工艺（VGF） - PVA TePla
VGF垂直梯度凝固法可用于工业生产砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）和磷化镓（GaP）等晶体，生产的晶体可被光电学（LED和激光系统）、半导体技术、高频技术、太阳能技术和电信技 …
一种VGF和VB联动的磷化铟单晶生长方法与流程 - X技术网
2024年12月20日 · 本发明涉及半导体材料领域，具体涉及一种vgf和vb联动的磷化铟单晶生长方法。 背景技术： 1、磷化铟（inp）是一种重要的ⅲ-ⅴ族化合物半导体材料，具备饱和电子漂移 …
Latest developments in VGF technology: GaAs, InP, and GaP
VGF (vertical gradient freeze) technology produces the world's highest quality III-V semiconductors, including GaAs, InP, and GaP. In this paper, we review the latest …
4 inch低位错密度InP单晶的VGF生长及性质研究 - 豆丁网
2024年8月6日 · 通过对vgf生长中的生长条件、生长温度、晶体质量和低 位错密度等因素进行探究，得出了VGF生长技术制备高质量低 位错密度InP单晶的方法。
4 inch低位错密度InP单晶的VGF生长及性质研究 - jmonline.org
采用高压垂直温度梯度凝固法(VGF)生长了非掺、掺硫和掺铁的4 inch直径(100)InP单晶,获得的单晶的平均位错密度均小于5000 cm-2.对4 inch InP晶片上进行多点X-射线双晶衍射测试, …
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