TSV的制作可以集成到生产工艺的不同阶段，通常放在晶元制造阶段的叫 Via-first，放在封装阶段的叫Via-last。 将TSV在晶圆制造过程中完成，此类硅通孔被称作Via-first。

依据TSV通孔生成的阶段可以分为：1）via-first；2）via-middle； 3）via-last。 可靠性问题 可以结合TSV工艺和结构的特性来联想3D封装的可靠性问题。

2022年1月26日 · 硅通孔技术（ TSV ， Through -Silicon-Via ）是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通，实现芯片之间互连的最新技术。 与以往的 IC 封装键合和使用凸点的叠加技术不同，如图 3 TSV 封装与叠层封装对比图。

The execution order of the TSV fabrication steps depends on the chip fabrication stage at which the via is formed. There are three approaches available : before the devices fabrication (Via first), before metal lines fabrication (Via middle) and after metal lines fabrication (Via last), as …

上一篇介绍了 金属互联层 双层大马士革工艺 中先开槽（Trench）后开孔（Via）的工艺流程. 本次为大家介绍 先开孔后开槽 的工艺流程. Via→Trench Trench→Via. 主要的工艺步骤分为. 薄膜沉积 →孔的曝光&刻蚀→槽的曝光&刻蚀→铜电镀→ CMP. 第一步 薄膜沉积. 膜层从 ...

2019年10月24日 · Via-First工艺制备TSVs：TSVs在FEOL工艺之前制造，并且只能由fab完成。因为器件的制备（例如晶体管）比TSV重要得多，因此很难在fab中完成TSV工艺。 Via-Middle工艺制备TSVs：TSVs在FEOL（例如晶体管）和MOL（例如金属接触）之后，在BEOL（例如金属层）之前制备。在这种 ...

3D 積體電路中的矽通孔可以採用三種方法進行設計和放置： 1. 先通孔 (Via-first)： 先形成通孔，然後再將元件或鍵合裸片擺放在中介層上。 首先，在通孔中沉積金屬，然後覆蓋結構的頂部。 堆疊裸片之間的金屬化連接用於接觸基板層並完成與矽通孔的連接。 2. 中通孔 (Via-middle)： 放置通孔需要在金屬化之前、擺放電路之後進行。 在堆疊過程中，通孔結構要達到不同的層，並提供層之間的連接。 盲孔、埋孔和通孔版本的矽通孔可以在這個過程中輕鬆放置。 3. 後通孔 (Via …

2018年6月20日 · 进一步发展出dual Damascene工艺，这里的dual是指同时形成via和metal两层。 Dual Damascene还可进一步细分，包括via first、trench first和self-aligned三类, 1) Trench first. 顾名思义，也就是先刻蚀出trench, 然后刻蚀出via。 （图片来自https://www.halbleiter.org/en/metallization/copper-technology/） 2）Via first. 如下图所示，首先刻蚀出via孔洞，然后刻蚀出trench, 最后沉积金属Cu. （图片来 …

2024年1月15日 · 🟩硅通孔技术（TSV，Through Silicon Via）是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通，实现芯片之间互连的技术，是2.5D/3D 封装的关键工艺之一。 通过垂直互连减小互连长度、信号延迟，降低电容、电感，实现芯片间低功耗、高速通讯，增加带宽和实现小型化。 🟥依据TSV 通孔生成的阶段 TSV 工艺可以分为：1）Via-First；2）Via-Middle；3）Via-Last。 🟦TSV 工艺包括深硅刻蚀形成微孔，再进行绝缘层、阻挡层、种子层的沉积，深孔填充，退 …

But the via-first approach has also many advantages and in particular allows the use of high thermal budget materials for high voltage applications. In this work, we will show results on process development and integration of 100 mum deep annular TSVs in thick silicon on insulator (SOI) or on bulk substrate, with final validation through ...