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WILLSEMI(韦尔) WPM9435参数名称：类型：1个P沟道；漏源电压(Vdss)：30V；连续漏极电流(Id)：5.5A；耗散功率(Pd)：2W。 下载WPM9435中文资料、引脚图、Datasheet数据手册，有场效应管(MOSFET)详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
WPM9435 Datasheet(PDF) - Will Semiconductor Ltd.
Description: P-Channel Enhancement Mode MOSFET. Manufacturer: Will Semiconductor Ltd..
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WPM9435 Datasheet and Replacement. Cross Reference Search
WPM9435WPM9435 P-Channel Enhancement Mode MOSFET www.willsemi.comDescription The WPM9435 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.
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WPM9435 WILLSEMI(Will Semicon) | C167140 - LCSC Electronics
WPM9435 WILLSEMI(Will Semicon) $0.2175 - 30V 5.5A 2W 46mΩ@10V,5A 3V@250uA 1 Piece P-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS datasheet, price, inventory C167140
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WPM9435-8 TR - VBsemi MOS管制造商
WPM9435-8 TR-VB是一款SOP8封装Single-P-Channel沟道场效应晶体管。 产品采用Trench Technology，Vds为-30V；Vgs为20（±V）；而Ida是-5.8A。 WPM9435-8 TR-VBMOSFET可广泛应用于各种需要Single-P-Channel沟道SOP8封装MOSFET的电子设备和系统。
WPM9435 Datasheet, PDF - Alldatasheet
Description: P-Channel Enhancement Mode MOSFET. 9 Results. Datasheet: 1MbKb/8P. Manufacturer: VBsemi Electronics Co.,Ltd.
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