硅酸盐和氮化物以 C1s 峰 (284.8eV) 为基准进行荷电校正. 在存在高浓度镧的情况下，采集 Si2s 以及（或）Si2p 峰。 通常只需要考虑单质 Si。 硅化合物的 Si2p 峰分裂可忽略。 观察到两个不同的对称峰（在低通能下）或单个不对称峰（在较高通能下）。 观察到的自旋轨道分裂峰谱图的分辨率会受到元素硅的结晶度/无定形特性的影响。 结晶度越高，自旋-轨道分量的分辨率越高。 无定形程度越高（例如，由 Ar+ 溅射引起），自旋-轨道分量的分辨率越低。 硅是半导体制造的基础， …

Silicon will usually have a native oxide of a few angstroms thickness although the exact thickness will depend upon the nature of the final surface cleaning. The relative intensities of the oxide and elemental peaks will also change with oxide thickness. This effect allows XPS to measure the thickness of Si oxide films.

XPS spectrum of the Si 2p and Si 2s peaks and associated plamson loss structure for a HF cleaned Si wafer.

2008年11月10日 · si2p在100左右 si2s在150左右 所以你的样品只有si，c和O 哦，对XPS了解的不多，只知道宽谱是大致的扫下样品中含有的元素，之后再细扫感兴趣的元素，不知道能扫出Si-2s的，呵呵记得当时那个老师说我的样品里可能含有水分，还以为是羟基什么的来。 谢谢feixiong版主啊

SiC/SiO2 的XPS测试中Si2p峰可以解叠为Si2p1/2和Si2p3/2，但不知道下图是如何得到的，同时这个解叠具体在 Thermo Avantage软件中如何操作，还望路过大神指点迷津，小弟在此先谢过了！

Photoemission and x-ray absorption spectroscopy have been used to study silicon nanowires prepared by a laser ablation technique together with Si (100) and porous silicon. Si 2p and valence-band...

This effect allows XPS to measure the thickness of Si oxide films. H-passivated or H-terminated silicon has a treatment which replaces surface Si-Si dangling bonds with Si-H bonds.

The XPS spectra revealed two characteristic peaks of the 2p states of silicon (Fig 7.16c) linked with the SiO2 signal, which were in good accord with the literature [322].

Primary Peak (XPS Signal) used to measure Chemical State Spectra: Si (2p) at 10 eV Recommended Pass Energy for Measuring Chemical State Spectrum: 40-50 eV (Produces Ag (3d 5/2) FWHM ~0.7 eV)

XPS（X射线光电子能谱）是一种分析技术，它可以用来测量物质表面层的化学特性，以及表面上各种元素的含量。 二氧化硅和单质硅都含有硅，因此它们在XPS峰位上也存在一定的差异。