Here, we demonstrate for the first time, the scalable room-temperature chemical synthesis and near-infrared (NIR) photodetection of ultrathin Bi 2 O 2 S nanosheets. The thickness of the freestanding nanosheets was around 2–3 nm with a lateral dimension of ∼80–100 nm.

2023年5月12日 · Researchers are already becoming willing to get involved in bismuth oxysulfide (Bi2O2S), a new two-dimensional optoelectronic material with a lengthy carrier lifetime and a unique loose structure. In this work, the Bi2O2S nanosheets are produced by room temperature chemical synthesis and built a Bi2O2S nanosheets flexible photodetector based on ...

2024年4月15日 · Herein, we introduce the first investigation into the photocatalytic properties of ultrathin Bi 2 O 2 S nanosheets prepared by a hydrothermal method. These nanosheets demonstrate exceptional efficiency in degrading congo red (CR) and rose bengal (RB) when exposed to visible light.

2015年2月3日 · Nanoscale Bi 2 O 2 S crystals with an indirect band gap of 1.12 eV are synthesized via a facile hydrothermal method. This semiconductor shows excellent photoelectric response under the irradiation of visible light lamp at room temperature.

2023年1月25日，化学一区顶刊 Applied Surface Science 在线发表了 四川师范大学段满益教授团队 题为“The electronic and optical properties of multi-layer Bi2O2X (X = S, Se, Te) by first-principles calculations ”的报告。 该项研究使用 VASP 进行 第一性原理计算。 石墨烯 和 MoS2 等二维材料 因其 优异的电子和光电特性 而被广泛研究。 具有 高载流子迁移率 和 中等带隙 的材料越来越 受到关注。 然而， 它们在实际应用中却存在局限性。 例如， 石墨烯 是一种具有 卓越的 …

2022年1月31日 · Two-dimensional (2D) bismuth oxychalcogenide (Bi 2 O 2 X, X refers to S, Se, and Te) is one type of rising semiconductor with excellent electrical transport properties, high photoresponse, and good air stability. However, the research on 2D Bi 2 O 2 S is limited.

2018年8月3日 · A new type of two-dimensional layered semiconductor with weak electrostatic but not van der Waals interlayer interactions, Bi 2 O 2 Se, has been recently synthesized, which shows excellent air stability and ultrahigh carrier mobility.

制备了超薄 Bi_ {2}O_ {2}S 纳米片PEC光电探测器，并研究了它们在不同波长（365、455、525、630和850 nm）和电解质（0.1 M KOH、0.5 M KOH、1.0 M KOH和0.5 M Na2SO4）下的光响应性能。 PEC光电探测器的宽带光响应范围为365~850nm。 光响应性能可以通过照明波长、施加偏压、浓度和电解质种类进行有效调节。 此外，此外，超薄 Bi_ {2}O_ {2}S 纳米片PEC光电探测器可以作为宽带光响应区为365~630nm的高性能自供电光电探测器。 PEC光电探测器具有高响应 …

Here, comprehensive experimental and computational investigations are conducted in the regulated band structure, nonlinear optical (NLO) characteristics, and carrier dynamics of Bi 2 O 2 S nanosheets via defect engineering, taking O vacancy (OV) and substitutional Se doping as …

2022年1月31日 · 基于二维 Bi 2 O 2 S 的 PEC 光电探测器具有出色的光电探测性能，具有 365 至 850 nm 的宽光响应光谱、13.0 mA/W 的高响应度、10/45 ms 的超快响应时间和良好的长期稳定性在 0.6 V 的偏置电压下，这优于大多数基于 2D 材料的 PEC 光电探测器。 此外，2D Bi 2 O 2 S PEC 光电探测器可以用作高性能自供电宽带光电探测器。 此外，光响应性能可以通过电解质的浓度和种类有效调节。 我们的结果表明，2D Bi 2 O 2S 纳米片在高性能光电器件中的应用前景 …