
Highly efficient AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting …
2024年8月13日 · In this study, we merged bandgap engineering with device craft to systematically improve the emission performance of an AlGaN-based DUV LED at an emission wavelength of ~270 nm. First, a...
紫外发光二极管 (UV LED) 发光效率的重要进展--技术文章频道-《 …
在蓝光 LED 中居主导地位的是 TE 模式,而在深紫外 LED 中被 TM 模式所取代,严重影响了光提取效率。 我们团队先前的研究工作展示了在倒装式芯片 UV LED 蓝宝石背面上采用蛾眼膜微观结构,可以提高取光效率(见图 2 (b))。
The emergence and prospects of deep-ultraviolet light-emitting …
2019年3月22日 · It has been demonstrated that for 294-nm DUV top-emission LEDs, the deposition of a thin layer of Al enhanced the peak photoluminescence intensity, attributed to the higher LEE via SP–TM wave...
An elegant route to overcome fundamentally-limited light …
2016年3月3日 · Here, we present an elegant approach based on a DUV LED having multiple mesa stripes whose inclined sidewalls are covered by a MgF 2 /Al omni-directional mirror to take advantage of the...
纳米图形衬底对AlGaN基深紫外LED中光子输运的影响 - 知乎
2021年2月22日 · 研究发现:NPSS能够提高DUV LED中横向传播的TM极性光的光提取效率,但会抑制偏向垂直传播的TE极性光的光提取效率(如图1所示)。 造成这种现象的原因是,当DUV LED中采用NPSS结构时,NPSS会把部分横向传播的光散射到垂直传播方向,也会把部分 垂直传播 的光散射到横向传播方向,这些被 散射 到横向传播方向的光将直接被底部的p-GaN 欧姆接触 层所吸收。 因此在DUV LED中,NPSS对具有不同传播特性的TE极性光和TM极性光会产生完全 …
DUV LED光功率提升20%+,武大、华中大等大学有新进展 - 知乎
2023年2月26日 · 日前,武汉大学和宁波ANN Semiconductor团队使用内部粗糙的蓝宝石和SiO₂抗反射膜改进275nm DUV LED的 光输出功率,在350mA时提高了20.85%。 基于AlGaN的DUVLED具有广泛的应用,包括水净化、杀菌、除臭和传感。 但基于AlGaN 的 DUV LED的性能仍远低于商用的基于GaN的蓝光LED,原因是AlGaN基DUV LED有源区中的主要横向磁 (TM) 光沿垂直于表面的方向偏振,并主要在横向方向传播,导致光提取效率 (LEE) 较低。 为此研究团队 …
Significantly boosted external quantum efficiency of AlGaN-based DUV …
2021年6月29日 · The peak external quantum efficiency of a 277 nm DUV-LED incorporating annealed Ni/Al reflective electrodes reaches 3.03%, which is 44% higher than that with conventional Ni/Au p-electrodes, revealing itself as a promising candidate in the realization of high-efficiency DUV emitters.
High performance deep-ultraviolet light-emitting diodes with …
2024年10月1日 · Conventional structure deep-ultraviolet light-emitting diodes (DUV-LEDs) at short wavelengths typically suffer from electron overflow and low light-emitting efficiency. For solar-blind communication application, conventional DUV-LEDs are struggling to simultaneously implement high external quantum efficiency (EQE) and high modulation bandwidth.
武大大学,紫外LED研究一年多次获突破-UVLED风向
2023年12月12日 · 武汉大学周圣军团队在深紫外LED中引入了AlGaN基超薄隧道结(26 nm),最大限度地减少AlGaN基隧道结的体电阻,使发光波长为275 nm的大功率超薄隧道结深紫外LED芯片的正向电压从8.2 V降至5.7 V。
Enhancing Both TM- and TE-Polarized Light Extraction Efficiency of ...
2018年7月3日 · Abstract: In this work, we investigate the effect of sidewall angle, height and space of an air cavity extractor (AC-Extractor) on the polarization-dependent light extraction efficiency (LEE) for AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes (DUV LEDs) using three-dimensional finite difference time-domain method.
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