PHEMT是对 高电子迁移率晶体管 （HEMT）的一种改进结构，也称为赝调制掺杂异质结场效应晶体管（PMODFET）。 虽然普通结构的HEMT具有很好的高频、高速性能，但是也存在有一个 …

GaAs pHEMT 包括漏极、源极、栅极、GaAs盖帽层、N型的 AlGaAs势垒层 、AlGaAs隔离层、 lnGaAs沟道层 、GaAs缓冲层和GaAs 衬底。 其中由 AlGaAs/lnGaAs/GaAs构成的异质结构 …

2022年5月16日 · 伪形态高电子迁移率晶体管（phemt）是单片微波集成电路（mmic）设计人员和晶圆厂用来开发和制造微波集成电路的一种技术。 pHEMT因其卓越的宽带性能特性，包括低 …

phemt 與mhemt 製程所具有的「高截止頻率、高電流」等等的特 色，是CMOS 無法取代的，所以在本章中將利用PHEMT 與MHEMT 製程設計一些比較高頻率的混頻器。

L. Aucoin GaAs-based high-electron mobility transistors (HEMTs) and pseudomorphic HEMT (or PHEMTs) are rapidly replacing conventional MESFET technology in military and commercial …

The development of the pseudomorphic high electron mobility transistor (PHEMT) was a result of the convergence of several factors. These factors included an interest in the behavior of …

2024年9月11日 · PHEMT的双异质结结构提高了器件阈值电压的温度稳定性，并改善了器件的输出伏安特性。 这使得PHEMT具有更大的输出电阻、更高的跨导、更大的电流处理能力以及更高 …

有针对噪声特性的研究数据表明了，PHMET能够提供比MESFET更小的偏置电流敏感性vs噪声性能。 InP 基的HEMT能够提供性能极好的低噪声特性。 InP的器件通常也是光电领域最优的选 …

2013年9月23日 · 稳懋提供的HBT与pHEMT微波组件技术涵盖的频谱范围从1到100 GHz，可以符合大多数快速成长市场的需求。 举例而言，L波段的HBT可应用于手机、低频无线产品、以及 …

Cross+ectional transmission electron microscopy (TEM) images from the deteriorated devices reveal the existence of a damaged recess sufuce region at the drain side ofthe