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当半导体PIE要知道的65个问题 - 知乎 - 知乎专栏
30.sab是什幺的缩写? 目的为何? 答:SAB:Salicide block, 用于保护硅片表面,在RPO (Resist Protect Oxide) 的保护下硅片不与其它Ti, Co形成硅化物(salicide)
金属硅化物之cide - 知乎 - 知乎专栏
SAB:(Self-Aligned Block, SAB)自对准硅化物 阻挡层 ,保持部分特殊设计的区域不会生长salicide,通过阻断Si和NiPt的接触,阻止Salicide的生长。 SAB & Salicide: SAB和salicide …
polycide,silicide,salicide三者区别 - CSDN博客
SAB指的是salicideblock. Salicide中文翻译过来就叫硅化物,其实是比较薄的一层金属和多晶的合金体,其主要目的是在多晶硅或者diffusion表面相对比较薄的一层上面生长出一层(或者是淀 …
半导体FAB厂 PIE 问答 - 知乎 - 知乎专栏
答:阈值电压(Threshold Voltage),就是产生强反转所需的最小电压。 当栅极电压Vg<Vt时, MOS处于关的状态,而Vg〉=Vt时,源/漏之间便产生导电沟道,MOS处于开的状态。 39. 在 …
大佬们能说一下半导体的八大工艺流程是什么吗? - 知乎
答:p+ implant的anneal 在sab形成之后,目的是用sab掩盖于表面以避免boron在高温情况下溢出表面。 两者的顺序不可调整,因为N+ IMPLANT注入的是P或AS,质量重,比较稳定。
科普:金属硅化物工艺技术详解_联电 - 搜狐
2018年9月15日 · SAB薄膜的材料包括富硅氧化物SRO(Silicon Rich Oxide)、SiO2、SiON和Si3N4。 其中,SRO薄膜的硅含量比常规的氧化硅薄膜大,SRO的制备与常规氧化硅大致相 …
SAB W 95.1000 TL - SAB-profiel
SAB W 95.1000 TL – also available in FA-FR. The special TL sandwichpanels have a trapezoidal profile with a crown hight of 30 mm. It has an improved joint. The prefabricated element …
接触孔填充为什么一般用钨不用铜? - CSDN博客
2024年10月3日 · 如上图,Contact 是指连接晶体管的源极、漏极与上层金属互连线之间的电气接触孔,一般以W(金属钨)来填充。 Contact使电流在晶体管和金属互连层之间能够流动。
SAB W 100.1100 - SAB-profiel
SAB W 100.1100 – also available in FA-FR. Sandwich panels for the facade or as an interior wall with visibly screwed fixings. With a core thickness of 100 mm, the u-value is 0.21 W/m2K. The …