MOS Transistors (Part 8: Large-Signal and Small-Signal Models)
MOS Transistors (Part 8: Large-Signal and Small-Signal Models)
2020年6月7日
ucdavis.edu
SOLVED: 6.9. For a MOS transistor biased in the triode region, we can define an incremental drain-source resistance as rDS,tri = (aID)/(aVps)6.78. Derive an expression for this quantity.
SOLVED: 6.9. For a MOS transistor biased in the triode region, we ca…
2023年4月30日
numerade.com
When an MOS transistor is biased with VD>VD (sat.), the effective channel length is reduced by ΔL and the current ID^' is larger than ID (sat.), as shown in Fig.6-32. Assuming that the depleted region ΔL is described by an expression similar to Eq. (6-30) with VD-VD( sat. ) for the voltage across ΔL, show that the conductance beyond saturation is gD^'=(∂ID^')/(∂VD)=ID (sat.) (∂)/(∂VD)((L)/(L-ΔL)) and find the expression for gD^' in terms of VD. | Numerade
When an MOS transistor is biased with VD>VD (sat.), the effective ch…
2021年6月7日
numerade.com
Rado on Instagram: "The fiery new shades of exploration. Meet the latest addition to Rado’s ‘Art of Skeletonisation’ series and the perfect companion for all adventures. The Captain Cook High-Tech Ceramic Skeleton blends the extreme surface resistance of plasma high-tech ceramic with the innovative R808 movement, resulting in a timepiece of utmost reliability, precision, and originality. Discover more at the link in bio. #Rado #RadoCaptainCook #SkeletonWatch #CeramicWatch #Feelit"
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Rado on Instagram: "The fiery new shades of exploration. Meet the la…
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Proteus 8 仿真 MOS场效应管
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RADU MOS 2 2012
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介绍/历史 - University of Macau | State Key Laboratory of Analog a…
2020年11月19日
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静态缩略图占位符